西藏车规MOS管

MOS的运用：MOS管为压控元件,你只要加到它的压控元件所需电压就能使它导通,它的导通就像三极管在饱和状态一样,导通结的压降小.这就是常说的精典是开关作用.去掉这个控制电压经就截止.MOS管MOS管的英文全称叫MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor)，即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应晶体管中的绝缘栅型。因此，MOS管有时被称为场效应管。在一般电子电路中，MOS管通常被用于放大电路或开关电路。而在主板上的电源稳压电路中，MOSFET扮演的角色主要是判断电位，它在主板上常用“Q”加数字表示。从应用侧出发来给大家介绍一下MOS管里面常见的。西藏车规MOS管

MOS做开关管使用时，其工作状态在截止区和可变电阻区之间切换，做放大管使用时，工作在饱和区。现如今，大部分的文档对MOS的工作状态的描述都是假设VGS不变，让VDS增加，描述这一过程中MOS管工作状态的变化。但当我重新回头看这么一段描述，浮上我脑海中的疑问是：为什么VDS会增加？这是因为在实际的应用场景中，VDS是基本固定不变的，一般是驱动电压VGS在运行。而且在作者的工作中，接触的都是工作在开关状态下的MOS，其导通压降很小，很难想象VDS逐步增大的场景，所以下文将从VDS固定不变，VGS压逐渐变大的角度分析MOS的开通过程。 西藏汽车MOS管厂商MOS管和晶体三极管相比的重要特性。

P沟道增强型场效应管原理：P沟道增强型MOS管9因在N型衬底中生成P型反型层而得名，其通过光刻、扩散的方法或其他手段，在N型衬底(基片)上制作出两个掺杂的P区，分别引出电极(源极S和漏极D)，同时在漏极与源极之间的SiO2绝缘层上制作金属栅极GQ。其结构和工作原理与N沟道MOS管类似;只是使用的栅-源和漏-源电压极性与N沟道MOS管相反。在正常工作时，P沟道增强型MOS管的衬底必须与源极相连，而漏极对源极的电压VDS应为负值，以保证两个P区与衬底之间的PN结均为反偏，同时为了在衬底顶表面附近形成导电沟道，栅极对源极的电压也应为负。

    MOS管介绍1、场效应管（FET）主要包括结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（MOSFET）；绝缘栅型场效应管包括增强型和耗尽型两种；增强型和耗尽型分别包括N型和P型两种。我们常用的场效应管一般是指增强型绝缘栅型场效应管，简称MOS管。2、对于较常用的两种MOS管，N型与P型，一般N型管使用场景更广。这是因为制造工艺不同，导致P型管的导通电阻大于N型管，且价格更昂贵。P型管与N型管参数也不容易做到对称，在集成电路中也是一样，因此在例如推挽这种电路中，上升时间与下降时间会存在区别。3、上图是MOS管等效模型，由于制作工艺问题，在3个管脚之间均存在寄生电容，它影响了MOS的开关特性，具体下面讲解。4、如上图所示，在DS之间存在一个寄生二极管，叫做体二极管，在集成电路中并不存在。当MOS管驱动感性负载时，体二极管可以作为续流二极管存在，驱动感性负载时很重要。 MOS管的损失是电压和电流的乘积，这称之为开关损失。

夹断区：当VGSVGS-Vth(即VGDVth)时,MOS工作在可变电阻区，在此区域中，可通过改变VGS的大小来改变MOS的导通电阻大小关于MOS管的夹断：当VGS为一固定值时，若在DS之间加一正向电压，增必将产生漏极电流，并且VDS的增大会使ID增大，沟道沿源漏方向变窄，并在VDS=VGS-Vth(即VGD=Vth)时，出现预夹断，随着VDS继续增大，MOS将承担管子的压降，但漏极电流基本不变，管子进入恒流区。时，mos管导电沟道被夹断不导通，此时id≈0。恒流区（饱和区）：当vds> mos管和igbt有什么区别？西藏车规MOS管

mos管的外形和三极管，可控硅，三端稳压器，IGBT类似。西藏车规MOS管

MOS管快速入门到精通

6.MOS管的开关条件N沟道—导通时Ug>Us,Ugs>Ugs(th)时导通P沟道—导通时Ug|Ugs(th)|

7.相关概念BJTBipolarJunctionTransistor双极性晶体管，BJT是电流控制器件；FETFieldEffectTransistor场效应晶体管，FET是电压控制器件.按结构场效应管分为：结型场效应（简称JFET）、绝缘栅场效应（简称MOSFET）两大类按沟道材料：结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种.按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。总的来说场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。

8.MOS管重要参数①封装②类型（NMOS、PMOS）③耐压Vds（器件在断开状态下漏极和源极所能承受的阙值的电压）④饱和电流Id⑤导通阻抗Rds⑥栅极阈值电压Vgs(th) 西藏车规MOS管